特許
J-GLOBAL ID：200903023688310712
半導体基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
高橋 昌久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-159230
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008413
出願日： 1994年06月17日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：
【要約】【目的】 シリコンウェーハとサファイアウェーハ等他方のウェーハとを相互に接合して形成される半導体基板を、接合面に空隙の発生がなく大きな接合力が得られる製造方法を提供する。【構成】 シリコンウェーハの接合面に好ましくは厚さ50オングストローム以上の酸化膜を形成せしめた後、他方のウェーハに重ね合せ、接合するようにして、接合面における空隙の発生を防止する。また、双方のウェーハ表面に付着しているボロン等の有害不純物の、シリコン活性層への拡散を防止する。
請求項（抜粋）：
シリコンウェーハと他方のウェーハとを相互に接合して形成される半導体基板を製造するに際し、前記シリコンウェーハの、前記他方のウェーハへの接合面にSiO2 等の酸化膜を形成せしめた後、他方のウェーハに重ね合わせて接合することを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 27/12
, H01L 21/304 321
