特許
J-GLOBAL ID：200903020039395564
アクティブマトリクス基板の製造方法、およびそのアクティブマトリクス基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-053085
公開番号（公開出願番号）：特開平10-010583
出願日： 1997年03月07日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：
【要約】【課題】アクティブマトリクス基板の製造方法において、製造過程で生じる構造欠陥を製造過程で無くせるようにし、製造歩留まりの向上を図る。【解決手段】絶縁基板11上に設けられる多数の第1配線1と、第1配線1を覆う絶縁膜13と、絶縁膜13上に設けられる多数の第2配線2と、第1、第2配線1,2の各交点近傍に設けられる多数の薄膜トランジスタからなるスイッチング素子6と、第1、第2配線1,2の直交交差により生ずるマトリクス状の領域において絶縁膜13上に設けられる多数の画素電極5とを有する構造のアクティブマトリクス基板10の製造方法であって、絶縁膜13を形成した後でその上に画素電極5および第2配線2を形成する前に、絶縁膜13において、画素電極5形成予定領域と第2配線2形成予定領域との間に確保する離間領域や、画素電極5形成予定領域と第1配線1との間に確保する離間領域の少なくともいずれか一方に対応する領域(斜線部分)を除去する。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に互いに平行に所要間隔離してそれぞれ設けられる多数の第1配線と、第1配線を覆う絶縁膜と、絶縁膜上に第1配線とそれぞれ直交する方向に互いに平行に所要間隔離してそれぞれ設けられる多数の第2配線と、第1、第2配線の各交点近傍にそれぞれ設けられる多数の薄膜トランジスタからなるスイッチング素子と、第1、第2配線の直交交差により生ずるマトリクス状の領域において絶縁膜上にそれぞれ設けられる多数の画素電極とを有する構造のアクティブマトリクス基板を製造する方法であって、絶縁膜を形成した後でその上に画素電極および第2配線を形成する前に、絶縁膜において、画素電極形成予定領域と第2配線形成予定領域との間に確保する離間領域や、画素電極形成予定領域と第1配線との間に確保する離間領域の少なくともいずれか一方に対応する領域を除去する、ことを特徴するアクティブマトリクス基板の製造方法。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1333 505
, G02F 1/1343
, H01L 29/786
G02F 1/136 500
, G02F 1/1333 505
, G02F 1/1343
, H01L 29/78 612 A
