特許
J-GLOBAL ID：200903020053295270

半導体装置およびその製造方法

発明者：
手嶋 孝紀

手嶋 孝紀 について

, 
中澤 秀作

中澤 秀作 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-148933
公開番号（公開出願番号）：特開2005-117009
出願日： 2004年05月19日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：
【課題】 両側ヒートシンク構造を有する半導体装置において、両ヒートシンクの放熱面を封止樹脂から露出させるにあたって放熱性の向上に適した状態を実現する。【解決手段】 発熱素子10と、発熱素子10の一側に設けられ発熱素子10と熱的に接続された第1のヒートシンク30と、発熱素子10の他側に設けられ発熱素子10と熱的に接続された第2のヒートシンク40と、発熱素子10、第1のヒートシンク30および第2のヒートシンク40を包み込むように封止する封止樹脂80とを備える半導体装置100において、第1のヒートシンク30の放熱面30aおよび第2のヒートシンク40の放熱面40aが、封止樹脂80から露出しており、第1のヒートシンク30の放熱面30)と第2のヒートシンク40の放熱面40aとの平行度が、0.2mm以下である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
発熱素子(10)と、 前記発熱素子(10)の一側に設けられ、前記発熱素子(10)と熱的に接続された第1のヒートシンク(30)と、 前記発熱素子(10)の他側に設けられ、前記発熱素子(10)と熱的に接続された第2のヒートシンク(40)と、 前記発熱素子(10)、前記第1のヒートシンク(30)、および前記第2のヒートシンク(40)を包み込むように封止する封止樹脂(80)と、を備える半導体装置において、 前記第1のヒートシンク(30)の放熱面(30a)および前記第2のヒートシンク(40)の放熱面(40a)が、前記封止樹脂(80)から露出しており、 前記第1のヒートシンク(30)の放熱面(30a)と前記第2のヒートシンク(40)の放熱面(40a)との平行度が、0.2mm以下となっていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L23/29
FI (1件)：
H01L23/36 A
Fターム (4件)：
5F036AA01 ,  5F036BB01 ,  5F036BB08 ,  5F036BE01
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 樹脂封止型半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-079359   出願人：株式会社デンソー
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-305228   出願人：株式会社デンソー
審査官引用 (9件)
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