特許
J-GLOBAL ID：200903020201760530
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-021388
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223930
出願日： 1997年02月04日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【課題】 積層された半導体層の一部をエッチングなどにより除去して、同一面側にp側電極およびn側電極が設けられる半導体発光素子においても、その電極と他のリードなどとの電気的接続が確実になり、その信頼性が向上する半導体発光素子を提供する。【解決手段】 基板1と、該基板上に発光層を形成すべく積層される半導体積層部10と、該半導体積層部の表面側の第1導電形の半導体層(p形層5)に接続して設けられる第1の電極(p側電極8)と、前記半導体積層部の一部がエッチングにより除去されて露出する第2導電形の半導体層(n形層3)に接続して設けられる第2の電極(n側電極9)とからなり、前記第1および第2の電極が、前記基板からほぼ同じ高さになるように形成されている。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に発光層を形成すべく積層される半導体積層部と、該半導体積層部の表面側の第1導電形の半導体層に接続して設けられる第1の電極と、前記半導体積層部の一部がエッチングにより除去されて露出する第2導電形の半導体層に接続して設けられる第2の電極とからなり、前記第1および第2の電極が、前記基板からほぼ同じ高さになるように形成されてなる半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
, H01S 3/18
