特許
J-GLOBAL ID：200903020202205565
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-049601
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223759
出願日： 1996年02月14日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：
【要約】【課題】 半導体チップのバンプの配列パターンを変更するために、半導体チップとフィルム基板とを一体化したものにおいて、半田バンプを良好に形成することができるようにする。【解決手段】 半導体チップ27の上面中央部にはフィルム基板21が両面接着フィルム29を介して接着されている。半導体チップ27のバンプ28には第2の接続電極24が接合されている。第1の接続電極23上には半田バンプ26が形成されている。ところで、半田バンプ26を形成する場合、半田ボールを第1の接続電極23上に配置し、ウェットバックを行うこととなる。この場合、半田ボールを第1の接続電極23上に直接接触させて配置することができ、ひいては半田バンプ26を良好に形成することができる。
請求項（抜粋）：
一の面の周辺部に複数の接続電極が配列形成された半導体チップと、この半導体チップの一の面の中央部上に一方の面が対向するように配置されたフィルム基板と、このフィルム基板の他方の面上に配列形成された複数の第1の接続電極と、前記フィルム基板の他方の面上から周囲に突出して配列形成され、かつ前記半導体チップの接続電極に接合された複数の第2の接続電極と、前記フィルム基板の他方の面上に形成された前記第1と第2の接続電極間を導通するための複数の引き回し線と、前記第1の接続電極上に設けられた金属バンプとを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/12
, H01L 21/60 311
H01L 23/12 L
, H01L 21/60 311 Q
