特許
J-GLOBAL ID：200903020211377875

研磨方法及び半導体装置の製造方法

発明者：
桝村 岳大

桝村 岳大 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-193138
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023939
出願日： 1999年07月07日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：
【要約】【課題】 被研磨面の平坦性及び面内均一性を向上させると共に研磨時間を短縮させてスループットを向上させた研磨方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る研磨方法は、上面に研磨布3が配置されたテーブル1と、このテーブル1上に配置され、被研磨基板を保持するヘッド20と、を備えた研磨装置を用いて研磨する研磨方法であって、前記研磨布3上にスラリー6を滴下し、前記テーブル1を70〜100rpmの回転数で回転させ、前記ヘッド20によりウエハを保持し、このウエハの被研磨面が前記研磨布3に接触するように前記ヘッド20を前記テーブル1上に配置し、前記ヘッド20を35〜50rpmの回転数で回転させることにより、前記ウエハを研磨するものである。
請求項（抜粋）：
上面に研磨布が配置されたテーブルと、このテーブル上に配置され、被研磨基板を保持する保持部材と、を備えた研磨装置を用いて研磨する研磨方法であって、前記研磨布上にスラリーを滴下し、前記テーブルを所定の回転数で回転させ、前記保持部材により基板を保持し、この基板の被研磨面が前記研磨布に接触するように前記保持部材を前記テーブル上に配置し、前記保持部材を前記テーブルの回転数の1/3〜1/2倍の回転数で回転させることにより、前記基板を研磨することを特徴とする研磨方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/04
FI (3件)：
H01L 21/304 622 R ,  H01L 21/304 622 X ,  B24B 37/04 B
Fターム (10件)：
3C058AA07 ,  3C058AA16 ,  3C058AB06 ,  3C058AC04 ,  3C058BA02 ,  3C058BA04 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA02 ,  3C058DA17
引用特許：
審査官引用 (5件)
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