特許
J-GLOBAL ID：200903020240959158
酸化スズ膜の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
後呂 和男
, ▲高▼木 芳之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-243523
公開番号（公開出願番号）：特開2004-083952
出願日： 2002年08月23日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：
【課題】様々な種類の基板上に良質な酸化スズ膜を形成することのできる酸化スズ膜の製造方法を提供することにある。【解決手段】スズイオンを含む酸性水溶液中に基板を浸漬し、基板の表面に紫外線を照射して光化学反応により基板の表面に酸化スズを堆積させる光化学堆積法により、基板にダメージを与えることのない穏やかな条件で酸化スズ膜を形成させることができる。このため、基板の材質が製造条件により制約を受けることがなく、種々の材質の基板を使用することができる。また、光の照射-遮断によって反応を容易に制御できるから、膜厚のコントロール等を容易に行うことができる。さらに、大掛かりな装置が不要であるため、製造コストを低減することができる。しかも、プラスチック等の材質の基板上では、紫外線による表面ラジカル反応により、基板との密着性に優れた膜が得られる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板上に酸化スズ膜を形成させる酸化スズ膜の製造方法であって、
スズイオンを含む酸性水溶液中に前記基板を浸漬し、前記基板の表面に紫外線を照射して光化学反応により前記基板の表面に酸化スズを堆積させることを特徴とする酸化スズ膜の製造方法。
IPC (3件)：
C23C18/18
, C23C18/12
, C23C18/16
C23C18/18
, C23C18/12
, C23C18/16 B
4K022AA05
, 4K022BA15
, 4K022BA21
, 4K022BA33
, 4K022CA12
, 4K022CA15
, 4K022CA18
, 4K022CA19
, 4K022DA03
, 4K022DB01
, 4K022DB02
