レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小島隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-108838
公開番号（公開出願番号）：特開2001-296659
出願日： 2000年04月11日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】【解決手段】ベース樹脂、酸発生剤、溶剤及び塩基性化合物を含有するレジスト材料において、塩基性化合物が多環式化合物であって、環内に窒素原子を1個だけ含む化合物であることを特徴とするレジスト材料。【効果】本発明のレジスト材料は、特にArFエキシマレーザーリソグラフィーにおいて、感度、解像性に優れ、また厚膜化が可能なためエッチングにも有利であるために、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成することができるという特徴を有する。

請求項（抜粋）：

ベース樹脂、酸発生剤、溶剤及び塩基性化合物を含有するレジスト材料において、塩基性化合物が多環式化合物であって、環内に窒素原子を1個だけ含む化合物であることを特徴とするレジスト材料。

IPC (6件)：

G03F 7/039 601 , C08K 5/3412 , C08L101/00 , C08L101/02 , G03F 7/004 501 , H01L 21/027

FI (6件)：

G03F 7/039 601 , C08K 5/3412 , C08L101/00 , C08L101/02 , G03F 7/004 501 , H01L 21/30 502 R

Fターム (52件)：

2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BF02 , 2H025CB10 , 2H025CB14 , 2H025CB43 , 2H025CB45 , 2H025CC03 , 2H025CC20 , 4J002AA001 , 4J002AA031 , 4J002BG011 , 4J002BH021 , 4J002BK001 , 4J002CE001 , 4J002EC037 , 4J002ED027 , 4J002EE037 , 4J002EF118 , 4J002EH037 , 4J002EH157 , 4J002EN018 , 4J002EN058 , 4J002EN098 , 4J002EN118 , 4J002EP018 , 4J002EQ016 , 4J002ES016 , 4J002EU028 , 4J002EU048 , 4J002EU078 , 4J002EU118 , 4J002EU128 , 4J002EU138 , 4J002EU148 , 4J002EU228 , 4J002EU238 , 4J002EV088 , 4J002EV216 , 4J002EV246 , 4J002EV328 , 4J002FD206 , 4J002FD207 , 4J002FD208 , 4J002GP03

引用特許：

審査官引用 (6件)

特表平7-508840
レジスト及びレジストパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-130694 出願人：富士通株式会社
化学増幅型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-096173 出願人：協和醗酵工業株式会社

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