コイル・スパッタの分布を制御する回転コアを備えた可変インピーダンス回路の使用

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-541716
公開番号（公開出願番号）：特表2002-510857
出願日： 1999年03月25日
公開日（公表日）： 2002年04月09日
要約：

【要約】プラズマ発生装置、特に半導体デバイス製造時に材料層をスパッタリング(溶射)蒸着させたり、あるいは材料層をエッチングする目的でプラズマを発生させる方法と装置を提供する。スパッタリング放出されるターゲット材の被膜を基板上に蒸着するプラズマ蒸着システム内のRF(高周波)コイルに用いられるインピダンス整合ボックスにおける可変リアクタンスは、RFコイルに沿ったRF電圧分布の“時間平均化”のためRFコイルと基板の加熱及び被膜の蒸着が一層均一になるよう、蒸着工程の期間に各誘導子コアを回転させることによって変化させることができる。

請求項（抜粋）：

基板上に材料をスパッタリングする半導体製造システムであって、半導体製造チャンバ内にプラズマ発生領域を有する半導体製造チャンバと、スパッタリング用の前記材料のターゲットを有する前記チャンバと、前記チャンバに保持されるコイルで、エネルギーを前記プラズマ発生領域に結び付けるように位置決めされ、前記基板上に前記スパッタリングターゲット材料の層を形成する為に前記スパッタリングターゲット材料をイオン化するコイルと、前記コイルに組み合わされたインピーダンスを合わせたボックスで、前記コイルに沿って時間平均の電圧分布の為にリアクタンスの供給を変化させる第1回転コア片を有する第1誘導子を持ったインピーダンス・ボックスとを含む半導体製造システム。

IPC (7件)：

H01L 21/203 , C23C 14/34 , H01F 21/06 , H01J 37/32 , H01J 37/34 , H03H 7/40 , H05H 1/46

FI (7件)：

H01L 21/203 S , C23C 14/34 T , H01F 21/06 , H01J 37/32 , H01J 37/34 , H03H 7/40 , H05H 1/46 L

Fターム (10件)：

4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029DC35 , 4K029EA09 , 5F103AA08 , 5F103BB14 , 5F103BB23 , 5F103BB60 , 5F103DD28 , 5F103RR06

引用特許：

審査官引用 (5件)

プラズマの発生及びスパッタのためのコイル
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-155665 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
整合装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-307488 出願人：ソニー株式会社
インダクタンス可変要素を用いた電気的に同調された整合回路網
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-280511 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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