特許
J-GLOBAL ID：200903020423699775
SOIウェーハのレーザーマーク印字方法、及び、SOIウェーハ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 良男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-262236
公開番号（公開出願番号）：特開2003-078115
出願日： 2001年08月30日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：
【要約】【課題】 本発明の課題は、光学的文字読み取り装置によって正確に読み取れるレーザーマークをSOIウェーハに印字可能なSOIウェーハのレーザーマーク印字方法、及び、SOIウェーハを提供することである。【解決手段】 1)SOIウェーハの完成後にSOI層の表面、或いはベースウェーハ表面上のテラスのうち、何れか一方にレーザーマークを印字する、或いは、2)ボンドウェーハのうちベースウェーハ上のレーザーマーク印字部を覆う部分を除去して、当該レーザーマーク印字部を露出する開口部を形成する、或いは、3)ベースウェーハとボンドウェーハとを結合する前に、ベースウェーハ表面のうちボンドウェーハと重ならない領域にレーザーマークを予め印字する、或いは、4)レーザーマークが予め印字されたベースウェーハと、ボンドウェーハとを結合する前に、当該レーザーマークの印字部に重なる部分を除去する。
請求項（抜粋）：
ベースウェーハと、該ベースウェーハの表面上に酸化膜からなる絶縁層を介して結合したSOI層とを備えるSOIウェーハを作製後、前記SOI層の表面、或いは、前記SOI層の外縁より外側にある前記ベースウェーハの表面のうち何れかに対し、これら両表面の境界を跨ぐことなくレーザーマークを印字することを特徴とするSOIウェーハのレーザーマーク印字方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 27/12 B
, H01L 27/12 Z
, H01L 21/02 A
, H01L 21/02 B
