特許
J-GLOBAL ID：200903083115830030
SOIウェーハの製造方法及びSOIウェーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
早川 政名 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-156088
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354760
出願日： 1998年06月04日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】 貼り合わせSOIウェーハの作製において、SOIウェーハの外周除去幅を小さくし、且つエピタキシャル成長時のSOI層外周部へのポリシリコン堆積を防ぐ。【解決手段】 2枚のシリコンウェーハの少なくとも一方のシリコンウェーハの外周面に酸化膜を形成し、該酸化膜を介して他方のシリコンウェーハを室温で積層貼り合わせ、これに酸化性雰囲気下で熱処理を加えた後、ボンドウェーハの外周端から室温貼り合わせによる結合端と熱処理結合端との間の領域までボンドウェーハの外周部を除去し、更にボンドウェーハを所望厚さまで薄膜化してSOI層を形成する。
請求項（抜粋）：
2枚のシリコンウェーハの少なくとも一方のシリコンウェーハの表面に酸化膜を形成し、該酸化膜を介して他方のシリコンウェーハを室温で貼り合わせ、これに酸化性雰囲気下で熱処理を加えた後、ボンドウェーハの外周端から室温貼り合わせによる結合端と熱処理結合端との間の領域までボンドウェーハの外周部を除去し、更にボンドウェーハを所望厚さまで薄膜化してSOI層を形成することを特徴とするSOIウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/12
, H01L 21/02 B
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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