特許
J-GLOBAL ID：200903059750738877
半導体基板とその作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西山 恵三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-000633
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257139
出願日： 2001年01月05日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：
【要約】【課題】 付着パーティクルが少なく、又マーキングが容易な半導体基板及びその作製方法を提供する。【解決手段】 支持基板1の上方に絶縁層2を介して設けられた半導体層3を有する半導体基板において、半導体層3の表面領域以外の領域に、マーク4を形成する。具体的には、第1の基板を用意し、第2の基板の周辺部にマークを形成し、マークのある部分では貼り合わないように、第1及び第2の基板を貼り合わせ、第1の基板の不要部を除去することで、第1の基板の移設層を移設してSOI基板を作る。
請求項（抜粋）：
支持基板の上方に絶縁層を介して設けられた半導体層を有する半導体基板において、前記半導体層の表面領域以外の領域に、マークが形成されていることを特徴とする半導体基板。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/02 A
, H01L 21/02 B
, H01L 27/12 B
