特許
J-GLOBAL ID：200903020454784851
固体撮像素子の欠陥画素検出・補正装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-222858
公開番号（公開出願番号）：特開2000-059689
出願日： 1998年08月06日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 画面上に於けるより重要な部分の欠陥画素の補正を優先的に行う欠陥画素検出・補正装置を提供する。【解決手段】 欠陥画素の画素位置に応じて、重み付け回路2により、欠陥レベルに対して重み付け演算を行い、該演算後の補正欠陥レベルにより、記憶回路4に記憶させる欠陥画素を決定する。
請求項（抜粋）：
固体撮像素子の欠陥画素を検出する検出手段と、検出された欠陥画素の画素位置を記憶する記憶手段と、該記憶手段の内容に基づき、固体撮像素子の出力に対して、欠陥補正を行う補正手段とを有する固体撮像素子の欠陥画素検出・補正装置であって、固体撮像素子の欠陥画素の画素位置を示す欠陥画素位置情報と、該欠陥画素の欠陥レベルを示す欠陥レベル情報との組をn組(nは自然数)記憶する記憶手段と、欠陥画素が検出されたときに、既に記憶されている欠陥画素位置情報と欠陥レベル情報との組の数がn未満であるときは、該検出された欠陥画素の画素位置を示す欠陥画素位置情報と該欠陥画素の欠陥レベルを示す欠陥レベル情報とを上記記憶手段に記憶させ、欠陥画素が検出されたときに、既に記憶されている欠陥画素位置情報と欠陥レベル情報との組の数がnであるときは、該検出された欠陥画素の欠陥レベルを示す欠陥レベル情報と、上記記憶手段に記憶されている欠陥レベル情報とを比較し、既に記憶されているn個の欠陥レベル情報の内の最小の欠陥レベル情報が、新たに検出された欠陥画素の欠陥レベル情報より大であるときは、上記記憶手段の内容の更新は行わず、既に記憶されている最小の欠陥レベル情報が、新たに検出された欠陥画素の欠陥レベル情報より小であるときは、該最小欠陥レベル情報及び該情報と組を成す欠陥画素位置情報に代えて、新たに検出された欠陥画素の画素位置情報と欠陥レベル情報の組を上記記憶手段に記憶させる制御手段とを備えた、固体撮像素子の欠陥画素検出・補正装置に於いて、上記比較動作に先立ち、検出された欠陥画素の画素位置に応じて選択された所定の重み付け係数を、該検出された欠陥画素の欠陥レベル情報に乗算することにより、補正欠陥レベル情報を算出する重み付け手段と、該補正欠陥レベル情報と、上記記憶手段に記憶されている欠陥レベル情報とを比較し、既に記憶されている複数の欠陥レベル情報の内の最小の欠陥レベル情報が、新たに検出された欠陥画素の補正欠陥レベル情報より大であるときは、上記記憶手段の内容の更新は行わず、既に記憶されている最小欠陥レベル情報が、新たに検出された欠陥画素の補正欠陥レベル情報より小であるときは、該最小欠陥レベル情報及び該情報と組を成す欠陥画素位置情報に代えて、新たに検出された欠陥画素の画素位置情報と補正欠陥レベル情報の組を上記記憶手段に記憶させる上記制御手段とを設けて成ることを特徴とする、固体撮像素子の欠陥画素検出・補正装置。
Fターム (7件)：
5C024AA01
, 5C024CA09
, 5C024FA01
, 5C024FA11
, 5C024HA18
, 5C024HA19
, 5C024HA23
