III-V族窒化物半導体の成長方法および気相成長装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-157036
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077038
出願日： 2000年05月26日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】原料収率が高く、成長速度の速いIII-V族窒化物半導体の成長方法および気相成長装置を提供すること。【解決手段】 III-V族窒化物半導体(GaN)を成長させる気相成長装置1であって、III族元素を収容する収容容器11が内部に配置されるとともに、窒素が導入される導入口7を有する反応室3と、導入口7より導入された窒素をプラズマ励起する励起手段15と、反応室3に配される種結晶10および収容容器11を加熱する加熱手段13と、を備え、種結晶10上にIII-V族窒化物半導体を成長させる際に、導入口7より窒素が導入され、反応室3内の気体は、反応室3の外部に排出されない。

請求項（抜粋）：

反応室内に設けられた種結晶上にIII-V族窒化物半導体を成長させるIII-V族窒化物半導体の成長方法であって、前記反応室内に連続的に導入される窒素をプラズマ励起するとともに前記反応室内に配置されたIII族元素を蒸発させ、前記プラズマ励起された窒素と前記蒸発させられたIII族元素とを反応させて前記種結晶上にIII-V族窒化物半導体を成長させることを特徴とするIII-V族窒化物半導体の成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C30B 25/02 , C30B 29/38 , H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 21/205 , C30B 25/02 P , C30B 29/38 D , H01L 33/00 C

Fターム (30件)：

4G077AA03 , 4G077BE11 , 4G077BE15 , 4G077DB04 , 4G077DB05 , 4G077DB16 , 4G077EG30 , 5F041AA12 , 5F041AA31 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA67 , 5F041DA41 , 5F041EE25 , 5F045AA08 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC03 , 5F045AC15 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AF04 , 5F045BB09 , 5F045CA11 , 5F045DP03 , 5F045EB02 , 5F045EH03 , 5F045EH18 , 5F045EK06

引用特許：

出願人引用 (8件)

半導体の製造方法及び半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-298380 出願人：松下電器産業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-033178 出願人：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
GaN単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-088350 出願人：株式会社ジャパンエナジー

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審査官引用 (2件)

特開昭61-053719
半導体薄膜の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-231648 出願人：旭化成工業株式会社

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