特許
J-GLOBAL ID：200903092044357671
窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-033178
公開番号（公開出願番号）：特開平10-215000
出願日： 1997年01月30日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：
【要約】【課題】ハライド気相成長法によりサファイア基板上に良質な窒化ガリウム系化合物半導体層を形成すること。【解決手段】サファイア基板1 を洗浄し乾燥させ, ハライド気相成長装置10の石英管11内に設けられたサセプタ14上に載置する。次に基板温度を600 °Cにし, N2源としてのNH3 を400 〜800cc/分, Ga源としてのGaClを生成するためのHCl を5〜20cc/ 分, キャリアガスとしてのN2を2liter/ 分供給する。これにより,HClとGa溜12上に載置されたGaの反応生成物としてGaClが得られ, 30分間の供給により基板1上にGaN から成るアモルファス状又はアモルファスと微結晶とが混在した結晶構造を有したバッファ層が膜厚約0.2 μmに成長する。続いて基板温度を1100°Cにし, バッファ層の形成時と同様の条件で上記各ガスを30分間供給することでGaN 層が平坦で均一に且つ良好な結晶性を有して膜厚約2 μm 成長する。
請求項（抜粋）：
サファイア基板上に、ハロゲン化物と窒素の水素化物を含むガスを用いる気相成長法により窒化ガリウム系化合物半導体を気相成長する方法であって、前記基板の温度を800°C未満で前記基板上に窒化ガリウム系化合物(AlyGa1-x-yInxN(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)) から成る非晶質構造の第1の半導体層を成長させ、前記基板の温度を800〜1200°Cで前記第1の半導体層上に窒化ガリウム系化合物(AlyGa1-x-yInxN(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)) から成る単結晶構造の第2の半導体層を成長させることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 21/205
, H01L 27/12
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
, H01L 27/12 S
