特許
J-GLOBAL ID：200903020487126566

高周波スイッチ回路装置

発明者：
安田 英司

安田 英司 について

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日高 賢一

日高 賢一 について

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升元 康之

升元 康之 について

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中塚 忠良

中塚 忠良 について

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渡邊 厚司

渡邊 厚司 について

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多良 勝司

多良 勝司 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (2件)： 宮井 暎夫 ,  伊藤 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-189134
公開番号（公開出願番号）：特開2006-050583
出願日： 2005年06月29日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：
【課題】 アイソレーション確保用のシャントFETを有する場合でも、シャントFET用の制御信号入力端子を増加させずに駆動し、しかもチップサイズを小型化する。【解決手段】 ショットキー接合よりなるダイオードD1〜D6を用い、制御信号入力端子CTL1〜CTL3の電圧の高い方を選択することのできるダイオードロジック回路OR1をスイッチ用およびアイソレーション確保用のMESFET段FET1〜FET6を形成した化合物半導体基板に一体的に形成する。そして、複数の制御電圧入力端子CTL1〜CTL3の電圧でスイッチ用のMESFET段FET1〜FET3を制御し、ダイオードロジック回路から出力されるOR電圧によりアイソレーション確保用のMESFET段FET4〜FET6を制御する。さらに、このダイオードロジック回路OR1をFETの中間接続点に接続することで、電源端子を追加せずに、FETの中間接続点の電位を固定する。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
複数の高周波信号経路の何れか少なくとも一つを導通させ残りを遮断させる高周波スイッチ回路装置であって、 化合物半導体基板と、 前記化合物半導体基板上に形成された金属-半導体電界効果トランジスタからなり、前記複数の高周波信号経路のそれぞれを断続する複数のスイッチ要素と、 前記複数のスイッチ要素に対して複数の制御電圧を個別に与える複数の制御電圧入力端子と、 前記化合物半導体基板上に金属-半導体ショットキー接合として形成された複数のダイオードからなり、前記複数の制御電圧入力端子から入力される前記制御電圧の論理合成を行うダイオードロジック回路とを備え、 前記ダイオードロジック回路から出力される論理合成電圧が、前記複数のスイッチ要素に他の制御電圧として供給される高周波スイッチ回路装置。
IPC (1件)：
H03K 17/693
FI (1件)：
H03K17/693 A
Fターム (20件)：
5J055AX05 ,  5J055AX06 ,  5J055AX44 ,  5J055BX03 ,  5J055BX04 ,  5J055CX03 ,  5J055CX24 ,  5J055DX23 ,  5J055DX88 ,  5J055EX07 ,  5J055EY01 ,  5J055EY10 ,  5J055EY12 ,  5J055EY21 ,  5J055EZ12 ,  5J055FX05 ,  5J055FX12 ,  5J055FX27 ,  5J055FX33 ,  5J055GX01
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (8件)
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