高周波用回路基板およびこれを用いた半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-048233
公開番号（公開出願番号）：特開2002-252302
出願日： 2001年02月23日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：

【要約】【課題】 FETのオフ容量の変動を補償し、周波数特性の良いスイッチを構成する。【解決手段】 MIC基板16とこの表面上に配設されたマイクロストリップ線路24とこのマイクロストリップ線路24に沿って配設された信号配線層26及び表面接地導体I20aとを備えた高周波用回路基板12上に、マイクロストリップ線路24、信号配線層26及び表面接地導体I20a上に配設されたバンプ28を介して半導体チップ14を配設し、この半導体チップ14のトランジスタのゲート電極を高周波用回路基板12の信号配線層26に、ソース電極を表面接地導体I20aに、ドレイン電極をマイクロストリップ線路24にそれぞれバンプ28により接続したものである。

請求項（抜粋）：

誘電体基板と、この誘電体基板の主面上に配設され、高周波信号の入出力端を有する高周波信号線路と、この高周波信号線路に沿って延在し、上記主面上に配設された信号線と、上記高周波信号線路に沿って上記主面上に配設された第1の接地導体と、を備えた高周波用回路基板。

IPC (3件)：

H01L 23/12 301 , H01P 1/15 , H05K 1/02

FI (3件)：

H01L 23/12 301 Z , H01P 1/15 , H05K 1/02 P

Fターム (9件)：

5E338AA02 , 5E338AA18 , 5E338BB61 , 5E338BB63 , 5E338BB75 , 5E338CC02 , 5E338CC06 , 5E338EE11 , 5J012BA04

引用特許：

出願人引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-159903 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-104644 出願人：株式会社日立製作所
特開昭61-234055

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