特許

J-GLOBAL ID：200903020577242174

薄膜トランジスタ

発明者： 木村 睦
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-096251
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294789
出願日： 1999年04月02日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】 低温ポリシリコン薄膜トランジスタにおいて、レーザー結晶化によって形成された半導体膜とゲート絶縁膜との界面に存在する表面粗さによる、キャリア伝導阻害・オン電流低下を、抑制することを目的とする。【解決手段】 レーザー結晶化の後に表面酸化され、レーザー結晶化後の表面粗さよりも、表面酸化後の表面粗さの方が、小さくなるようにする。表面酸化の方法としては、熱酸化・プラズマ酸化等が、挙げられる。

請求項（抜粋）：

半導体膜とゲート電極とを備え、前記半導体膜と前記ゲート電極との間にゲート絶縁膜を備えた、薄膜トランジスタにおいて、前記半導体膜が、レーザー結晶化の後に表面酸化され、前記レーザー結晶化後で前記表面酸化前の、前記半導体膜と前記ゲート絶縁膜との界面の表面粗さよりも、前記表面酸化後の、前記半導体膜と前記ゲート絶縁膜との界面の表面粗さの方が、小さいことを特徴とする、薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/316 S

Fターム (20件)：

5F052AA02 ,  5F052CA08 ,  5F052DA01 ,  5F052FA00 ,  5F052JA01 ,  5F052JA10 ,  5F058BA06 ,  5F058BA09 ,  5F058BB04 ,  5F058BB07 ,  5F058BC02 ,  5F058BE10 ,  5F058BF62 ,  5F058BF73 ,  5F058BJ10 ,  5F110AA05 ,  5F110CC02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110PP03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-049667   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体薄膜、半導体装置および半導体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-255644   出願人：シャープ株式会社
• 特開平2-043771
  
• 薄膜半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-054836   出願人：株式会社東芝