特許
J-GLOBAL ID：200903024806362346
薄膜半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-054836
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251599
出願日： 1998年03月06日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：
【要約】【課題】 簡略な工程により多結晶シリコン薄膜の表面の凹凸を平坦化することにより、その上に設けられるゲート絶縁膜などの膜厚を全面で均一にし、絶縁膜の耐圧性を向上させることを目的とする。【解決手段】 多結晶シリコン表面の凸部が凹部よりも早く酸化することを利用し、多結晶シリコンの表面を強制的に酸化させ、その表面の酸化部分をエッチングすることで凹凸を緩和し、平坦化することができる。
請求項（抜粋）：
多結晶状のシリコン薄膜を形成する工程と、前記シリコン薄膜の表面を酸化して酸化層を形成する工程と、前記酸化層を除去する工程と、を備えたことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/136 500
H01L 29/78 627 A
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 627 G
