特許
J-GLOBAL ID：200903020581821499
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大渕 美千栄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-343422
公開番号（公開出願番号）：特開2000-312031
出願日： 1999年12月02日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：
【要約】【解決手段】 活性層6の下に2つのAlGaInPブラッグ反射器層を含む半導体装置。
請求項（抜粋）：
2つのAlGaInPブラッグ反射器層を持つ発光ダイオード装置であって、GaAs基板の裏面上に設けられたオーミックn電極と、前記基板上に成長させた、第1の下側の分布AlGaAsブラッグ反射器層と、前記第1のブラッグ反射器層上に成長させた、第1の下側のn-AlGaInPクラッド層と、前記第1のクラッド層上に成長させた、第2の上側の分布AlGaInPブラッグ反射器層と、前記第2のブラッグ反射器層上に成長させた活性層と、前記活性層上に成長させた、第2の上側のp-AlGaInPクラッド層と、前記上側のクラッド層上に成長させたGaInP窓層と、前記窓層上に設けられたオーミックp電極と、を含む発光ダイオード装置。
引用特許：
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