特許
J-GLOBAL ID：200903020665217740
混成集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-186864
公開番号（公開出願番号）：特開2005-026263
出願日： 2003年06月30日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：
【課題】良好な放熱性及び電磁界シールド性を有し、且つ小型の混成集積回路を提供する。【解決手段】混成集積回路10は、複数の信号用導体パターン13と複数の接地用導体パターン14とを備え、信号用導体パターン13のそれぞれと、対応する接地用導体パターン14とがマイクロストリップラインを形成する第1の配線基板11と、第1の配線基板11内に形成され、第1の誘電体層11aの上面に形成された接地用導体パターン14が底面に露出するキャビティ12と、キャビティ12内に配設され、底面がこの接地用導体パターン14に固定される半導体チップ15と、第1の配線基板11のキャビティ12を除く上面に配置された実装部品18とを備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
複数の信号配線層と複数の接地導体層とを備え、前記信号配線層のそれぞれと、対応する接地導体層とがマイクロストリップラインを形成する第1の配線基板と、
前記第1の配線基板内に形成され、一つの前記接地導体層が底面に露出するキャビティと、
前記キャビティ内に配設され、底面が前記一つの接地導体層に固定される半導体チップと、
前記第1の配線基板の前記キャビティを除く上面に配置された実装部品とを備えることを特徴とする混成集積回路。
IPC (4件)：
H01L25/00
, H01L25/04
, H01L25/18
, H05K9/00
H01L25/00 B
, H05K9/00 Q
, H05K9/00 U
, H01L25/04 Z
5E321AA14
, 5E321AA17
, 5E321GG01
, 5E321GH03
