RF回路モジュール

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：曾我道照 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-350265
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174204
出願日： 1998年12月09日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】第1の誘電体基板および第2の誘電体基板上の半導体デバイスを容易に電気的にシールドできるとともに気密封止でき、小形化、高性能化したRF回路モジュールを得る。【解決手段】金属カバー12が、第2のRF半導体デバイス29が上面に実装された第2の誘電体基板2を覆い、キャビティ4内で第1のRF半導体デバイス19が実装された第1の誘電体基板1と接続され、第2のRF半導体デバイスを電気的にシールドするとともに第1および第2のRF半導体デバイスを気密封止する。金属カバーは板状、第1の誘電体基板は高温焼成基板、第2の誘電体基板は低温焼成基板、誘電体基板間の接続は半田バンプ、異方性導電性シートでもよい。キャビティに金属ベース11が露出し、第1の誘電体基板に送信系回路を、第2の誘電体基板に受信系回路を実装してもよい。気密封止不要な高周波回路デバイスを金属カバーの外部に配置してもよい。

請求項（抜粋）：

ウォールに囲繞されたキャビティが上層に形成された多層の第1の誘電体基板と、前記キャビティ内で前記第1の誘電体基板に実装された第1のRF半導体デバイスと、前記ウオールの上面で前記第1の誘電体基板と接続され、裏面にグランド導体を有する少なくとも1層以上の第2の誘電体基板と、前記第2の誘電体基板の上面に実装された第2のRF半導体デバイスと、前記第2の誘電体基板および前記第2のRF半導体デバイスを覆い、前記ウオールの上面で前記第1の誘電体基板と接続され、前記第2のRF半導体デバイスを電気的にシールドするとともに前記第1および第2のRF半導体デバイスを気密封止する金属カバーとを備えたRF回路モジュール。

IPC (6件)：

H01L 25/10 , H01L 25/11 , H01L 25/18 , H01L 25/065 , H01L 25/07 , H05K 1/18

FI (3件)：

H01L 25/14 Z , H05K 1/18 Q , H01L 25/08 Z

Fターム (17件)：

5E336AA04 , 5E336AA08 , 5E336AA12 , 5E336AA14 , 5E336AA16 , 5E336BB03 , 5E336BB18 , 5E336BC15 , 5E336BC26 , 5E336BC34 , 5E336CC31 , 5E336CC36 , 5E336CC58 , 5E336DD16 , 5E336EE05 , 5E336GG11 , 5E336GG30

引用特許：

審査官引用 (6件)

回路部品の実装構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-306940 出願人：日本電気株式会社
水晶発振器
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-034316 出願人：シチズン時計株式会社
回路素子モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-240974 出願人：株式会社日立製作所

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