光源装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：草野卓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-178558
公開番号（公開出願番号）：特開2002-372647
出願日： 2001年06月13日
公開日（公表日）： 2002年12月26日
要約：

【要約】【課題】シリコン基板からヒートシンクに対する熱伝導を向上させ、結果的に発光素子の放熱特性を向上させた光源装置を提供する。【解決手段】電極部13および断面V字溝11をシリコン基板1の表面に形成し、光ファイバピグテイル2を断面V字溝11に嵌合固定すると共にフリップチップ型の発光素子3を電極部13に光ファイバピグテイル2にアライメントして搭載し、シリコン基板1の裏面に断面V字放熱溝15を形成し、断面V字放熱溝15にシリコンの熱伝導率より大なる熱伝導率を有する熱伝導性材料を充填した光源装置。

請求項（抜粋）：

電極部および断面V字溝をシリコン基板の表面に形成し、光ファイバピグテイルを断面V字溝に嵌合固定すると共にフリップチップ型の発光素子を電極部に光ファイバピグテイルにアライメントして搭載し、シリコン基板の裏面に断面V字放熱溝を形成し、断面V字放熱溝にシリコンの熱伝導率より大なる熱伝導率を有する熱伝導性材料を充填したことを特徴とする光源装置。

Fターム (3件)：

2H037BA02 , 2H037DA12 , 2H037DA38

引用特許：

審査官引用 (11件)

光半導体モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-203358 出願人：株式会社東芝
特開昭59-172787
特開昭61-018190

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