特許
J-GLOBAL ID：200903020706169306
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-185264
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079491
出願日： 1997年07月10日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 高集積度のDRAMを安定して実現する半導体装置及びその製造方法の提供。【解決手段】 基板上にメモリセル領域と周辺回路領域とを有する半導体装置であって、基板中に形成された一対の不純物拡散領域と、基板表面に形成されたゲート電極8とを含む転送トランジスタと、ゲート電極の上面および側面を覆う第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜を覆って前記基板上に形成された第2の絶縁膜と、第2の絶縁膜上に形成された第3の絶縁膜と、第3および第2の絶縁膜を貫通して、不純物拡散領域に達するコンタクトホール15と、コンタクトホール内に充填された導電層と、第3の絶縁膜上に形成されたビット線と、ビット線22の上面および側面を覆う第4の絶縁膜と、導電層と電気的に接続され、ビット線上に形成された蓄積電極27と、蓄積電極表面に形成された誘電体膜29と、誘電体膜表面に形成された対向電極とを有する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にメモリセル領域と周辺回路領域とを有する半導体装置において、前記基板中に形成された一対の不純物拡散領域と、該基板表面に形成されたゲート電極とを含む転送トランジスタと、該ゲート電極の上面および側面を覆う第1の絶縁膜と、該第1の絶縁膜を覆って前記基板上に形成された第2の絶縁膜と、該第2の絶縁膜を貫通して、前記一対の不純物拡散領域に達する一対のコンタクトホールと、該一対のコンタクトホールの一方内に充填され、前記一対の不純物拡散領域の一方に接続された導電プラグと、前記導電プラグを覆って該第2の絶縁膜上に形成され、前記一対のコンタクトホールの他方の上に第1の開口を有する第3の絶縁膜と、前記第3の絶縁膜上に形成され、前記第1の開口と前記一対のコンタクトホールの他方を介して前記一対の不純物拡散領域の他方に接続されたビット線と、該ビット線の上面および側面を覆う第4の絶縁膜と、前記ビット線の側面を覆う第4の絶縁膜に整合して前記第3の絶縁膜に形成された第2の開口と、前記第2の開口を介して前記導電プラグと電気的に接続され、前記第3、第4の絶縁膜によって該ビット線から絶縁され、ビット線上方に延在して形成された蓄積電極と、該蓄積電極表面に形成された誘電体膜と、該誘電体膜表面に形成された対向電極とを有する半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 27/10 621 C
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 681 F
, H01L 27/10 681 B
