半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：恩田博宣 , 恩田誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-134291
公開番号（公開出願番号）：特開2008-166680
出願日： 2007年05月21日
公開日（公表日）： 2008年07月17日
要約：

【課題】過負荷等によって半導体素子から定常発熱状態(通常状態)より大きな熱が発生した場合、半導体素子の急激な温度上昇を抑制することができるとともに、ワイヤあるいはリードを半導体素子の電極に電気的に接合する作業が面倒にならない半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置10は、絶縁回路基板11を備え、絶縁回路基板11上に半導体素子12が半田Hを介して接合されている。半導体素子12上には、ヒートマス17が半導体素子12と熱的に結合して半田Hで接合されている。ヒートマス17は半導体素子12の電極を兼ねている。絶縁回路基板11は、金属製のヒートシンク15と金属板16を介して一体化されている。ヒートシンク15は、冷却媒体が流れる冷媒流路15aを備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体素子と、前記半導体素子で発生した熱が伝導される強制冷却式の冷却器と、前記半導体素子上に半導体素子と熱的に結合して半田で接合されているヒートマスとを備え、前記ヒートマスが電極を兼ねている半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/473 , H01L 25/07 , H01L 25/18

FI (2件)：

H01L23/46 Z , H01L25/04 C

Fターム (5件)：

5F136BA30 , 5F136CB06 , 5F136DA22 , 5F136DA27 , 5F136EA13

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-053284 出願人：三菱マテリアル株式会社
半導体モジュール、冷却器、および電力変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-068675 出願人：株式会社東芝
実開平5-13660号公報

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審査官引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-244241 出願人：株式会社豊田自動織機
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-244226 出願人：株式会社豊田自動織機

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