特許
J-GLOBAL ID：200903020749465707

シリコン酸化膜およびシリコン窒化酸化膜の形成方法ならびにシリコンウエーハ

発明者：
秋山 昌次

秋山 昌次 について

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小林 徳弘

小林 徳弘 について

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大槻 剛

大槻 剛 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-216135
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044193
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】 極薄で電気的信頼性が高く、ウエーハ面内の膜厚均一性に優れた絶縁膜を、特別な設備や工程を使用することなく、簡単に形成することのできる方法を提供する。【解決手段】 急速加熱・急速冷却装置を用いてシリコンウエーハを酸化性雰囲気下で熱処理することにより、該シリコンウエーハ表面にシリコン酸化膜を形成する方法において、前記酸化性雰囲気をアルゴンと酸素の混合ガスとし、前記熱処理の熱処理温度を1000°C以上とすることにより、膜厚が15nm以下のシリコン酸化膜を形成することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法、およびこの方法により形成されたシリコン酸化膜を表面に有するシリコンウエーハ。
請求項（抜粋）：
急速加熱・急速冷却装置を用いてシリコンウエーハを酸化性雰囲気下で熱処理することにより、該シリコンウエーハ表面にシリコン酸化膜を形成する方法において、前記酸化性雰囲気をアルゴンと酸素の混合ガスとし、前記熱処理の熱処理温度を1000°C以上とすることにより、膜厚が15nm以下のシリコン酸化膜を形成することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/318 ,  H01L 29/78
FI (4件)：
H01L 21/316 S ,  H01L 21/31 E ,  H01L 21/318 C ,  H01L 29/78 301 G
Fターム (29件)：
5F040DA19 ,  5F040DC01 ,  5F040ED03 ,  5F040FC00 ,  5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AB34 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045BB08 ,  5F045BB16 ,  5F045DP04 ,  5F045EK12 ,  5F045GB13 ,  5F045HA16 ,  5F045HA25 ,  5F058BA06 ,  5F058BC02 ,  5F058BC11 ,  5F058BE03 ,  5F058BF56 ,  5F058BF62 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ01
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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