半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：芝野正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-088330
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282725
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】印加電圧と半導体基板1との電位差によって生じたポリシリコン抵抗7の電圧依存性による抵抗値の変動を抑制する。【解決手段】半導体基板1上に形成したエピタキシャル層2と、エピタキシャル層2内部に形成した埋込層3と、当該埋込層3と同程度の深さを有し、埋込層3と離間して形成した環状の素子分離領域4と、エピタキシャル層2の表面から環状の素子分離領域内に形成したN+型層5とを有し、その表面に、LOCOS酸化膜6、ポリシリコン抵抗7、層間絶縁膜8を順次形成し、ポリシリコン抵抗7の層間絶縁膜8に3箇所電極を形成する。N+型層5の上方には電極Gを形成する。3電極D、E、Fは、電極Fを電極D,Eから等距離となるように、ポリシリコン抵抗7の略中央位置に配置する。電極Fと電極Gとは配線9によって、同電位を維持する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層の表面から形成された環状の素子分離領域と、前記エピタキシャル層、前記素子分離領域の表面に形成された酸化膜と、前記酸化膜上に形成されたポリシリコン抵抗と、前記ポリシリコン抵抗の表面の所望位置に形成された第1の電極、第2の電極と、を有する半導体装置において、前記素子分離領域の環状の内部に不純物層を形成し、前記第1の電極と前記不純物層とを電気的に導通することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/822 , H01L 27/04

Fターム (8件)：

5F038AR09 , 5F038AR16 , 5F038AR22 , 5F038AV04 , 5F038AV05 , 5F038AV06 , 5F038EZ14 , 5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-207302 出願人：セイコーインスツルメンツ株式会社
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-301116 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-279416 出願人：日本電気株式会社

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