3族窒化物半導体レーザ素子

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-320797
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150219
出願日： 1996年11月15日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】【課題】p型ガイド層における光の吸収を防止してレーザ出力を向上させること。【解決手段】InGaN/GaN にて形成される活性層5を、活性層5よりも禁制帯幅の広いp型クラッド層71とストッパ層42で挟み、ストッパ層42の外側をガイド層41、その外側をクラッド層4で形成することにより、キャリアを活性層5に閉じ込め、光を活性層5とストッパ層42とガイド層41に閉じ込めた。この結果、発光波長が380〜430nmのときに光を吸収する層が光の閉じ込めを行う層に存在しないので、光の吸収による損失が無くなりレーザ出力が向上した。

請求項（抜粋）：

3族窒化物半導体により形成され、活性層と、その活性層よりも禁制帯幅の広いガイド層と、そのガイド層より禁制帯幅の広いクラッド層にて構成されるキャリア閉じ込めと光の閉じ込めを分離させたレーザ素子において、前記活性層はp型の前記クラッド層とn型の前記ガイド層に挟まれており、そのn型のガイド層は前記活性層とn型の前記クラッド層に挟まれていることを特徴とする3族窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-073796 出願人：富士通株式会社
窒化物半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-020420 出願人：日亜化学工業株式会社
半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-323379 出願人：三井石油化学工業株式会社

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