窒化物半導体レーザ素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-020420
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213694
出願日： 1995年02月08日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】窒化物半導体発光素子の活性層外部に出ていく光の損失を少なくして、活性層内に光を閉じ込めレーザ発振を可能にする。【構成】基板上に少なくともn型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層が順に積層され、n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層とがストライプ状の形状を有する電極ストライプ型のレーザ素子において、基板の幅(a)よりもn型窒化物半導体層のストライプ幅(b)が狭くされていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に少なくともn型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層が順に積層され、n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層とがストライプ状の形状を有する電極ストライプ型のレーザ素子において、基板の幅よりもn型窒化物半導体層のストライプ幅が狭くされていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-305257 出願人：旭化成工業株式会社
特開昭58-170058
特開平4-369285

全件表示

前のページに戻る