特許
J-GLOBAL ID：200903020819634013

III族窒化物膜の製造方法

発明者：
柴田 智彦

柴田 智彦 について

, 
田中 光浩

田中 光浩 について

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浅井 圭一郎

浅井 圭一郎 について


出願人/特許権者：
日本碍子株式会社

日本碍子株式会社 について


代理人 (1件)： 杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-394093
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197541
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：
【要約】【課題】III族窒化物膜中における欠陥の発生割合を減少させることが可能な、新規なIII族窒化物膜の製造方法、及びこれに用いることのできるエピタキシャル基板の製造方法を提供する。【解決手段】所定の単結晶材料からなる基材1上に、少なくともAlを含み、X線ロッキングカーブの半値幅が100秒以下のIII族窒化物下地膜2を形成する。次いで、下地膜2の主面2Aを還元性の窒素を含む雰囲気中で熱処理し、下地膜2の主面2A上の表面欠陥を除去する。次いで、下地膜2の主面2A上に、目的とするIII族窒化物膜3を形成する。
請求項（抜粋）：
所定の単結晶材料からなる基材上に、少なくともAlを含有し、X線ロッキングカーブの半値幅が100秒以下のIII族窒化物下地膜を形成する工程と、前記III族窒化物下地膜の主面を還元性の窒素を含む雰囲気中で熱処理する工程と、前記III族窒化物下地膜の前記主面上において、III族窒化物膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする、III族窒化物膜の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38
FI (2件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 C
Fターム (29件)：
4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077DB06 ,  4G077EA01 ,  4G077EA05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077FE11 ,  4G077HA02 ,  4G077TA04 ,  4G077TB05 ,  4G077TC14 ,  4G077TK01 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AE23 ,  5F045AE29 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045CA13 ,  5F045DA52 ,  5F045DA67
引用特許：
審査官引用 (4件)
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