特許
J-GLOBAL ID:200903020918860939

積層型太陽電池

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 上代 哲司 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-010863
公開番号(公開出願番号):特開平11-214726
出願日: 1998年01月23日
公開日(公表日): 1999年08月06日
要約:
【要約】【課題】 積層型太陽電池において光電変換できる波長の範囲を300nmから2000nmの広い範囲にするために、従来はInP基板上に形成したGaInAs太陽電池と、GaAs基板上に形成したGaAs太陽電池を機械的に積み重ねており、コストが高かった。【解決手段】 GaAs基板あるいはGe基板上に、基板と格子整合し、かつバンドギャップが所望の値となるような、窒素混晶化合物半導体より構成される太陽電池の上に、より大きいバンドギャップを有する半導体材料の太陽電池を積層することにより太陽電池を得る。
請求項(抜粋):
閃亜鉛鉱型結晶構造を有するIII-V族化合物半導体において、窒素をV族混晶比で0.1%以上含有する窒素混晶化合物半導体材料により構成される太陽電池の上に、前記窒素混晶化合物半導体材料より大きいバンドギャップを有する半導体材料により構成される太陽電池を積層した構造を有することを特徴とする積層型太陽電池。
FI (2件):
H01L 31/04 E ,  H01L 31/04 Y
引用特許:
審査官引用 (7件)
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