特許
J-GLOBAL ID:200903021007429153

半導体装置、その製造方法及び半導体装置用基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小池 隆彌
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-182803
公開番号(公開出願番号):特開2001-015632
出願日: 1999年06月29日
公開日(公表日): 2001年01月19日
要約:
【要約】【課題】 絶縁基板に設けられた貫通孔がテーパーを持つ構造ではストレスはランド部と外部接続端子との接合付近で半導体装置の中心と反対方向側に集中するために、信頼性レベルが低下する。【構成】 矩形の半導体チップ1が、開口面積が開口部表面側に向けて大きくなる複数の第1の貫通孔9を有する絶縁基板5に搭載され、且つ絶縁基板5が絶縁基板5の半導体チップ搭載面側に各第1の貫通孔開口部全面を覆う導電性のランド部7を有する配線パターンが形成されており、且つ、外部接続端子4が第1の貫通孔9から露出したランド部7全面と接続され、第1の貫通孔9の開口形状が、半導体チップ1の中心から最も離れた円周上の領域を少なくとも含む領域に突起を有する円形状である。
請求項(抜粋):
半導体チップが、開口面積が前記半導体チップ搭載面から反対面側に向けて大きくなる複数の第1の貫通孔を有する絶縁基板に搭載され、且つ、前記絶縁基板が該絶縁基板の前記半導体チップ搭載面側に前記各第1の貫通孔開口部全面を覆う導電性のランド部を有する配線パターンが形成されており、且つ、外部接続端子が前記第1の貫通孔から露出したランド部全面と接続された半導体装置において、前記外部接続端子が、前記第1の貫通孔の少なくとも該ランド部と前記外部接続端子との接合部分において応力集中が生じる部分において、前記第1の貫通孔側壁から離れていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 23/12 ,  H01L 21/60
FI (2件):
H01L 23/12 L ,  H01L 21/92 602 K
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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