特許
J-GLOBAL ID:200903021033148049
精密回路素子の構造及びその形成方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
坂口 博 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-070049
公開番号(公開出願番号):特開2001-308280
出願日: 2001年03月13日
公開日(公表日): 2001年11月02日
要約:
【要約】【課題】 精密回路素子及びその形成方法を提供する。【解決手段】 回路素子は、集積回路アセンブリの一部として形成される。回路素子の処理は、所望値に近い回路素子の公称値を提供するものである。追加のトリム回路素子が、リンクを通じて公称回路素子に結合される。リンクは可融性リンクまたはアンチヒューズである。選択的に可融性リンクを溶断するか、アンチヒューズを融着することにより、トリム回路素子が追加または減じられ、回路素子の公称値を個別化する。典型例においては、キャパシタが使用される。
請求項(抜粋):
コア回路素子と、複数のトリム回路素子と、いずれの前記トリム素子も3つ以上のリンクには接続されないように、前記トリム素子の1つに接続される第1の端子と、前記トリム素子の別の1つに接続される第2の端子とを有する複数のリンクと、前記コア回路素子に接続されるコア回路素子リンク第1端子と、前記トリム素子の1つに接続されるコア回路素子リンク第2端子とを有するコア回路素子リンクとを含む精密回路素子。
IPC (5件):
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/82
, H01L 21/3205
, H01L 21/768
FI (5件):
H01L 27/04 V
, H01L 21/82 F
, H01L 21/88 R
, H01L 21/90 B
, H01L 27/04 C
引用特許:
審査官引用 (6件)
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半導体集積回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-118428
出願人:三洋電機株式会社
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特開平3-070171
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抵抗のトリミング回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-049485
出願人:横河電機株式会社
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