特許
J-GLOBAL ID：200903021052232387

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

発明者：
清水 悟

清水 悟 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-001366
公開番号（公開出願番号）：特開2002-208645
出願日： 2001年01月09日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：
【要約】【課題】 不揮発性半導体記憶装置の信頼性を向上させる。【解決手段】 本発明の不揮発性半導体記憶装置は、主表面を有する半導体基板1と、該主表面上にトンネル酸化膜4を介して形成されソース2およびドレイン3a,3bを有する複数のメモリセルトランジスタとを備える。そして、ソース2とドレイン3a,3bの少なくとも一方が、その表面近傍に濃度ピークが位置するように窒素を含む。
請求項（抜粋）：
主表面を有する半導体基板と、前記主表面上にトンネル絶縁膜を介して形成され、ソースおよびドレインを有する複数のメモリセルトランジスタとを備え、前記ソースとドレインの少なくとも一方が、前記ソースとドレインの少なくとも一方の表面近傍に濃度ピークが位置するように窒素を含む、不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115
FI (2件)：
H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434
Fターム (22件)：
5F001AA43 ,  5F001AA63 ,  5F001AD23 ,  5F001AD52 ,  5F001AG12 ,  5F083EP04 ,  5F083EP23 ,  5F083EP55 ,  5F083EP56 ,  5F083EP69 ,  5F083EP77 ,  5F083JA04 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA53 ,  5F083KA14 ,  5F083PR36 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BD15 ,  5F101BD33 ,  5F101BH09
引用特許：
審査官引用 (10件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM