特許
J-GLOBAL ID：200903021147224918

現像処理方法および現像処理装置

発明者：
坂本 和生

坂本 和生 について

, 
西屋 憲

西屋 憲 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-369286
公開番号（公開出願番号）：特開2000-195773
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】【課題】 現像を促進して現像処理時間の短縮または露光処理における露光量の減少を実現することができ、かつ現像処理のばらつきが小さく、線幅の均一性の高い現像処理方法および現像処理装置を提供すること。【解決手段】 露光処理後の半導体ウエハWに現像液を塗布して現像処理を行うにあたり、現像液供給ノズル86から現像液を滴下して基板に現像液を塗布した後、ノズルの先端部を現像液Lに接触、好ましくは浸漬させ、ウエハWとノズル86との間に相対移動を生じさせて、ウエハW上の現像液Lを撹拌する。
請求項（抜粋）：
露光処理後の基板に現像液を塗布して現像処理を行う現像処理方法であって、ノズルから現像液を滴下して基板に現像液を塗布した後、ノズルの先端部を現像液に接触させ、基板とノズルとの間に相対移動を生じさせて、基板上の現像液を撹拌することを特徴とする現像処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/30 501
FI (2件)：
H01L 21/30 569 C ,  G03F 7/30 501
Fターム (4件)：
2H096AA25 ,  2H096GA31 ,  5F046LA03 ,  5F046LA04
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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