特許
J-GLOBAL ID:200903021178017600
リッジ型半導体レーザおよびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
曾我 道照 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-124945
公開番号(公開出願番号):特開平9-307182
出願日: 1996年05月20日
公開日(公表日): 1997年11月28日
要約:
【要約】【課題】 電流閉じ込めと光閉じ込めを別々に制御でき、かつリッジ部両側の残し厚部分に電流が広がるのを防止することにより、低しきい値化、高効率化が可能なリッジ型半導体レーザを提供する。【解決手段】 P-InP基板1上に、P-InPクラッド層2、活性層3およびリッジ型層(4、6)を順次積層し、リッジ型層が高抵抗領域であるFe-InP層4とこれに不純物を拡散またはイオン注入して形成されたリッジ部を構成する導電領域であるn-InP層6とからなる。
請求項(抜粋):
基板上にクラッド層、活性層およびリッジ型層が順次積層され、上記リッジ型層がリッジ部を形成する導電領域とこれの両側の高抵抗領域からなることを特徴とするリッジ型半導体レーザ。
引用特許:
審査官引用 (16件)
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特開昭63-164484
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特開昭58-071679
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特開平2-203583
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半導体レーザ素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-039047
出願人:シャープ株式会社, 古河電気工業株式会社
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半導体レーザ及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-189075
出願人:松下電器産業株式会社
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半導体レーザ素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-154298
出願人:古河電気工業株式会社
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特開平3-053582
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特開平3-049282
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特開平2-206192
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半導体発光装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-155498
出願人:富士通株式会社
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特開昭63-164484
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特開昭58-071679
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特開平2-203583
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特開平3-053582
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特開平3-049282
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特開平2-206192
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