リッジ型半導体レーザおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：曾我道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-124945
公開番号（公開出願番号）：特開平9-307182
出願日： 1996年05月20日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】電流閉じ込めと光閉じ込めを別々に制御でき、かつリッジ部両側の残し厚部分に電流が広がるのを防止することにより、低しきい値化、高効率化が可能なリッジ型半導体レーザを提供する。【解決手段】 P-InP基板1上に、P-InPクラッド層2、活性層3およびリッジ型層(4、6)を順次積層し、リッジ型層が高抵抗領域であるFe-InP層4とこれに不純物を拡散またはイオン注入して形成されたリッジ部を構成する導電領域であるn-InP層6とからなる。

請求項（抜粋）：

基板上にクラッド層、活性層およびリッジ型層が順次積層され、上記リッジ型層がリッジ部を形成する導電領域とこれの両側の高抵抗領域からなることを特徴とするリッジ型半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開昭63-164484
特開昭58-071679
特開平2-203583

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