特許
J-GLOBAL ID：200903044653528640
磁気メモリおよびその記録方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-085563
公開番号（公開出願番号）：特開2001-273757
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：
【要約】【課題】 垂直磁化膜を用いた巨大磁気抵抗効果素子およびトンネル磁気抵抗効果素子を用いた磁気メモリにおいて、該素子の片側あるいは両側に電流線を配置すると、素子の高集積化が困難である。さらに、マトリクス状に配列した素子のクロスポイントを選択することが困難である。【解決手段】 選択した素子のメモリ層14へ記録を行う場合、該素子と隣接する素子の上下に配置している電流線11、13、17、19を用いて書き込みを行うことにより、従来技術に比べて集積度、および選択性の高い磁気メモリを実現できる。
請求項（抜粋）：
少なくとも第1の磁性層、非磁性層、第2の磁性層から構成され、前記第1および第2の磁性層が垂直磁気異方性を有する磁気抵抗効果素子を用いた磁気メモリであって、前記磁気抵抗効果素子に情報を記録するための電流線を、前記磁気抵抗効果素子の上下平面に配置したことを特徴とする磁気メモリ。
IPC (4件)：
G11C 11/15
, H01F 10/06
, H01L 27/10 451
, H01L 43/08
G11C 11/15
, H01F 10/06
, H01L 27/10 451
, H01L 43/08 Z
5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AA09
, 5E049AC00
, 5E049AC05
, 5E049BA08
, 5E049BA30
, 5F083FZ10
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (1件)
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