特許
J-GLOBAL ID：200903002443535118
半導体デバイスのコンタクト電極形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小岩井 雅行 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-224122
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067685
出願日： 1997年08月20日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】 各層の半導体とコンタクト電極とのシンタ温度とコンタクト抵抗との関係について考慮されておらず、効率が悪くなり、あるいは、コンタクト抵抗が十分に低くならない。【解決手段】 フォトトランジスタは、基板10上にサブコレクタ層11、コレクタ層12、ベース層13、エミッタ層14からなるエピタキシャル構造を形成する膜層成長段階と、各メサを形成するメサ形成段階と、コンタクト電極の被着段階、配線電極の形成段階とを経て製造される。コンタクト電極の被着段階では、n型のサブコレクタ層11とエミッタ層14とにAuGe/Ni/Auから成るアロイ系のコンタクト電極30,32を被着し、続いて、p型のベース層13にTi/Pt/Auから成るノンアロイ系のコンタクト電極31を被着し、第1の基準温度(400°C)以上の温度でシンタして半導体と合金化させ、オーミックにする。
請求項（抜粋）：
p型半導体とn型半導体を積層して構成される半導体デバイスにおけるコンタクト電極の形成方法において、前記n型半導体にアロイ系のコンタクト電極を被着するアロイ系電極被着段階と、前記p型半導体にノンアロイ系のコンタクト電極を被着するノンアロイ系電極被着段階と、前記各電極被着段階の後、前記各電極のオーミックコンタクトを得るために第1の基準温度以上の温度で熱処理する電極シンタ段階とを含むことを特徴とする半導体デバイスのコンタクト電極形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301
, H01L 29/205
, H01L 21/331
, H01L 29/73
H01L 21/28 301 H
, H01L 29/205
, H01L 29/72
