レーザ増幅器とそのようなレーザ増幅器を有する光学システム、およびそのようなレーザ増幅器の製造法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅村皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-533246
公開番号（公開出願番号）：特表平11-504468
出願日： 1996年05月03日
公開日（公表日）： 1999年04月20日
要約：

【要約】レーザ増幅器とそのようなレーザ増幅器を有する光学システム、および大きな波長領域にわたって偏光に依存しない増幅を得るためのこのようなレーザ増幅器を製造する方法が開示される。この光増幅器は、半導体基板(6)の上に作成された活性領域を有する。この活性層は、量子ウエル層(13、14、15、16)と障壁層(12)とを交互に成長させることにより作成される。このウエル層は、引張り歪みを有する第1形式のウエル層(14、15、16)を備え、およびそれと一緒に圧縮歪みを有する第2形式のウエル層(13)を備えるかまたは備えていない。1つの形式のウエル層(16)の少なくとも1つのウエル層が、同じ形式の他のウエル層(14、15)とは異なる幅および/または異なる部材組成を有するように成長される。

請求項（抜粋）：

半導体基板(6)の上に活性領域5を作成する段階を有し、その活性領域を作成する段階はウエル層(13、14、15、16)と障壁層(12)とを交互に成長させることを含み、前記ウエル層は引張り歪みを有する第1形式のウエル層(14、15、16)を備えおよびそれと一緒に圧縮歪みを有する第2形式のウエル層(13)を備えたまたは備えていない、レーザ増幅器(3)を作成する方法であって、1つの形式のウエル層(16)の少なくとも1つのウエル層が同じ形式の他のウエル層(14、15)とは異なった幅および/または異なった部材組成を有するように成長されることを特徴とする、レーザ増幅器(3)を作成する前記方法。

引用特許：

審査官引用 (10件)

光増幅素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-090719 出願人：アンリツ株式会社
歪量子井戸半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-329517 出願人：古河電気工業株式会社
特開平4-229686

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