特許

J-GLOBAL ID：200903021308330217

配線の作製方法及び表示装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  高山 徹 ,  山口 哲司
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-147036
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005694
出願日： 2004年05月17日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：

【課題】 本発明では信頼性とコストパフォーマンスに秀でた半導体装置を提供するための配線形成法を提供することを目的とする。さらに、本発明の配線形成法を用いた半導体装置の作製方法、表示装置の作製方法を提供することを目的とする。【解決方法】 本発明は、主に絶縁表面を有する基板上において、液滴吐出法によって配線材料等を直接パターニングを行うに際し、下層部とのコンタクトを形成する開口部が設けられた絶縁膜上に、液滴吐出法により導電性組成物よりなる液滴を滴下することで少なくとも前記開口部を含む位置に配線を作製し、前記配線が作製された基板に加熱処理を行うことで、前記開口部上の前記配線の表面位置とそれ以外の部分の前記配線の表面位置における高さを概略一致させ、かつ前記開口部を充填することを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

下層部とのコンタクトを形成する開口部が設けられた絶縁膜上に、 液滴吐出法により導電性組成物よりなる液滴を滴下することで少なくとも前記開口部を含む位置に配線を作製し、 前記配線が作製された基板に加熱処理を行うことで、前記開口部上の前記配線の表面位置とそれ以外の部分の前記配線の表面位置における高さを概略一致させることを特徴とする配線の作製方法。

IPC (12件)：

H01L21/3205 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L21/288 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

FI (13件)：

H01L21/88 B ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 338 ,  H01L21/288 Z ,  H01L27/08 331E ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 627A ,  H01L29/78 627C ,  H01L21/90 A ,  H01L21/90 C ,  H01L27/08 102D

Fターム (187件)：

2H092GA29 ,  2H092JA24 ,  2H092JA46 ,  2H092KA07 ,  2H092KA20 ,  2H092MA01 ,  2H092MA02 ,  2H092MA10 ,  2H092MA30 ,  2H092NA27 ,  2H092NA28 ,  2H092NA29 ,  2H092RA10 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  3K007FA03 ,  4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104CC05 ,  4M104DD06 ,  4M104DD08 ,  4M104DD26 ,  4M104DD51 ,  4M104DD61 ,  4M104DD63 ,  4M104DD78 ,  4M104DD80 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG19 ,  4M104HH05 ,  4M104HH12 ,  4M104HH14 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20 ,  5F033GG04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033QQ82 ,  5F033RR08 ,  5F033SS08 ,  5F033SS15 ,  5F033VV10 ,  5F033VV15 ,  5F033XX01 ,  5F033XX03 ,  5F033XX10 ,  5F033XX28 ,  5F033XX34 ,  5F048AA07 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB04 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F110AA26 ,  5F110AA28 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE37 ,  5F110EE42 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL22 ,  5F110HL27 ,  5F110HM19 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ28 ,  5G435AA14 ,  5G435AA17 ,  5G435HH12 ,  5G435KK05 ,  5G435LL07 ,  5G435LL08

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 配線およびその作製方法、並びに配線基板およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-089262   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (5件)

• 配線装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-192852   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
• 半導体集積装置の製造方法、および半導体集積装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-076239   出願人：セイコーエプソン株式会社
• パターン製造方法およびパターン製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-148019   出願人：セイコーエプソン株式会社
• パターン形成方法および基板製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-008016   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 配線間接続孔の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-207387   出願人：セイコーエプソン株式会社