特許
J-GLOBAL ID：200903021339206492

光電変換素子およびその製造方法

発明者：
三上 塁

三上 塁 について

, 
岡本 諭

岡本 諭 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-042740
公開番号（公開出願番号）：特開2008-205398
出願日： 2007年02月22日
公開日（公表日）： 2008年09月04日
要約：
【課題】光電変換素子において、熱処理工程を追加することなく、また基板強度を低下させることもなく、受光面電極層の下部に高濃度拡散層を形成する。【解決手段】光電変換素子は、主表面を有する半導体基板1と、上記主表面1aに配置された電極層4と、主表面1aの一部に設けられた多孔質層10とを備え、半導体基板1のうち主表面1aの近傍には不純物が拡散された拡散層3が形成されている。電極層4と多孔質層10とは接している。主表面1aを基準に見たときの多孔質層10の上面の平均高さによって規定される多孔質層基準面10bは、主表面1aの平均高さによって規定される主表面基準面1bと同じ高さであるかまたはより高い位置にある。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
主表面を有する半導体基板と、 前記主表面に配置された電極層と、 前記主表面の一部に設けられた多孔質層とを備え、 前記半導体基板のうち前記主表面の近傍には不純物が拡散された拡散層が形成されており、 前記電極層と前記多孔質層とが接しており、 前記主表面を基準に見たときの前記多孔質層の上面の平均高さによって規定される多孔質層基準面が、前記主表面の平均高さによって規定される主表面基準面と同じ高さであるかまたはより高い位置にある、光電変換素子。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (1件)：
H01L31/04 A
Fターム (9件)：
5F051AA01 ,  5F051BA11 ,  5F051CB11 ,  5F051CB13 ,  5F051DA03 ,  5F051FA06 ,  5F051GA02 ,  5F051GA15 ,  5F051HA03
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (7件)
  • 光電変換装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-063610   出願人：シャープ株式会社
  • 太陽電池素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-100886   出願人：トヨタ自動車株式会社
  • 太陽電池の製法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-363379   出願人：エア・ウォーター株式会社
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