特許
J-GLOBAL ID：200903021347888462

レジスト塗布方法及び装置

発明者：
佐藤 丈弘

佐藤 丈弘 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 北野 好人 ,  三村 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-264105
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103850
出願日： 2002年09月10日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：
【課題】基板表面上の異物の発生を抑制しうるレジスト塗布方法及び装置を提供する。【解決手段】ウェーハ10表面から水分を蒸発させるための熱処理を行う工程と、疎水化処理剤によりウェーハ10の表面を疎水化する工程と、ウェーハ10上にレジストを塗布する工程とを有するレジスト塗布方法であって、熱処理を行う工程からウェーハ10表面を疎水化する工程までを、除湿された雰囲気下で行う。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板表面から水分を蒸発させるための熱処理を行う工程と、疎水化処理剤により前記基板の表面を疎水化する工程と、前記基板上にレジストを塗布する工程とを有するレジスト塗布方法であって、 前記熱処理を行う工程から前記基板表面を疎水化する工程までを、除湿された雰囲気下で行う ことを特徴とするレジスト塗布方法。
IPC (5件)：
H01L21/027 ,  B05C9/10 ,  B05D3/02 ,  B05D3/10 ,  G03F7/38
FI (5件)：
H01L21/30 563 ,  B05C9/10 ,  B05D3/02 B ,  B05D3/10 H ,  G03F7/38 501
Fターム (19件)：
2H096AA25 ,  2H096CA01 ,  2H096CA02 ,  4D075BB23X ,  4D075BB68X ,  4D075CA48 ,  4D075DA06 ,  4D075DB13 ,  4D075DB14 ,  4D075DC18 ,  4D075DC22 ,  4D075EA05 ,  4D075EA45 ,  4F042AA02 ,  4F042AA07 ,  4F042AB00 ,  4F042BA16 ,  4F042DA09 ,  5F046HA01
引用特許：
審査官引用 (7件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-332959   出願人：ソニー株式会社
  • 露光装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-086711   出願人：株式会社ニコン
  • レジスト塗布現像処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-150418   出願人：東京エレクトロン株式会社
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