特許
J-GLOBAL ID：200903098271938646

荷電粒子ビーム照射量演算方法、荷電粒子ビーム描画方法、プログラム及び荷電粒子ビーム描画装置

発明者：
江見 恵子

江見 恵子 について

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鈴木 潤一

鈴木 潤一 について

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阿部 隆幸

阿部 隆幸 について

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飯島 智浩

飯島 智浩 について

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八島 純

八島 純 について


出願人/特許権者：
株式会社ニューフレアテクノロジー

株式会社ニューフレアテクノロジー について


代理人 (2件)： 松山 允之 ,  池上 徹真
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-197455
公開番号（公開出願番号）：特開2007-150243
出願日： 2006年07月19日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：
【目的】かぶり効果、近接効果及びローディング効果による寸法変動を同時に補正する照射量を求める手法を提供することを目的とする。【構成】本発明の一態様の照射量演算方法は、メッシュ状に分割された各第1のメッシュ領域におけるかぶり効果補正照射量計算工程(S106)と、各第2のメッシュ領域におけるローディング効果補正寸法値計算工程(S110)と、かかる各第2のメッシュ領域における補正寸法値に基づいて作成された、基準照射量マップと近接効果補正係数マップとを用いて、各第3のメッシュ領域における近接効果補正照射量を計算する近接効果補正照射量計算工程(S116)と、かぶり効果補正照射量と近接効果補正照射量とに基づいて、照射量を計算する照射量計算工程(S118)と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、より高精度な試料面内の線幅均一性を達成することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
描画領域が第1の寸法でメッシュ状に分割された各第1のメッシュ領域におけるかぶり効果を補正する荷電粒子ビームのかぶり効果補正照射量を計算するかぶり効果補正照射量計算工程と、 前記描画領域が第2の寸法でメッシュ状に分割された各第2のメッシュ領域におけるローディング効果によるパタン線幅寸法のずれを補正する補正寸法値を計算するローディング効果補正寸法値計算工程と、 前記各第2のメッシュ領域における補正寸法値に基づいて、前記各第2のメッシュ領域における前記荷電粒子ビームの基準照射量マップを作成する基準照射量マップ作成工程と、 前記各第2のメッシュ領域における補正寸法値に基づいて、前記各第2のメッシュ領域における近接効果補正係数マップを作成する近接効果補正係数マップ作成工程と、 前記基準照射量マップと前記近接効果補正係数マップとを用いて、前記描画領域が前記第1と第2の寸法よりも小さい第3の寸法でメッシュ状に分割された各第3のメッシュ領域における近接効果を補正する前記荷電粒子ビームの近接効果補正照射量を計算する近接効果補正照射量計算工程と、 前記かぶり効果補正照射量と前記近接効果補正照射量とに基づいて、前記描画領域の各位置における前記荷電粒子ビームの照射量を計算する荷電粒子ビーム照射量計算工程と、 を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム照射量演算方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  H01J 37/305
FI (2件)：
H01L21/30 541M ,  H01J37/305 B
Fターム (6件)：
5C034BB10 ,  5F056CA01 ,  5F056CC12 ,  5F056CC13 ,  5F056CD02 ,  5F056CD11
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (13件)
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