特許

J-GLOBAL ID：200903021383373061

チャージポンプ回路およびこれを用いた不揮発性メモリの動作方法

発明者： 石井 元治 ,  尾本 かよ子
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 田澤 博昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-001771
公開番号（公開出願番号）：特開2002-208290
出願日： 2001年01月09日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：

【要約】【課題】 従来の正負両電圧発生用チャージポンプ回路は正・負電圧の双方の発生が可能ではあるが所望の高電圧出力が得られないといった課題があった。【解決手段】 外部電源と第1の内部ノード間に接続される第1の逆流防止回路と、第1の内部ノードに接続し第1の出力電位を出力する第1の出力ノードと、接地電位を受ける第2の電源ノードと第2の内部ノードとの間に接続される第2の逆流防止回路と、第2の内部ノードに接続し第2の出力電位を出力する第2の出力ノードと、第1の内部ノードと第2の内部ノードとの間に接続され、第1の内部ノードの電位よりも第2の内部ノードの電位を高くする電圧発生回路とを備え、これは第1の内部ノードから第2の内部ノードへ向けて電流を流すように設けられたダイオード素子と、第1、第2の内部ノードには一方の電極が接続され、他方の電極にクロック信号が与えられる容量とを含み、半導体基板上または内部に形成して成るようにチャージポンプ回路を構成した。

請求項（抜粋）：

第1の電源電位を受ける第1の電源ノードと、この第1の電源ノードと第1の内部ノードとの間に接続される第1の逆流防止手段と、上記第1の内部ノードに接続し第1の出力電位を出力する第1の出力ノードと、上記第1の電源電位よりも低い第2の電源電位を受ける第2の電源ノードと、この第2の電源ノードと第2の内部ノードとの間に接続される第2の逆流防止手段と、上記第2の内部ノードに接続し第2の出力電位を出力する第2の出力ノードと、上記第1の内部ノードと上記第2の内部ノードとの間に接続され、上記第1の内部ノードの電位よりも上記第2の内部ノードの電位を高くする電圧発生手段とを備え、上記電圧発生手段は、上記第1の内部ノードから上記第2の内部ノードへ向けて電流を流すように設けられたダイオード素子と、上記第1、第2の内部ノードには一方の電極が接続され、他方の電極にクロック信号が与えられる容量とを含み、半導体基板上またはその内部に形成して成るチャージポンプ回路。

IPC (3件)：

G11C 16/06 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (5件)：

G11C 17/00 632 A ,  G11C 17/00 632 B ,  G11C 17/00 633 D ,  G11C 17/00 633 E ,  H01L 27/04 G

Fターム (17件)：

5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD09 ,  5B025AD10 ,  5B025AE07 ,  5F038AC00 ,  5F038AV04 ,  5F038AV06 ,  5F038BG05 ,  5F038BG06 ,  5F038CD02 ,  5F038CD06 ,  5F038DF01 ,  5F038DF05 ,  5F038DF17 ,  5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 高電圧発生回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-021769   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭63-018594
  
• 高電圧発生回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-215627   出願人：日本電気株式会社
• チャージポンプ回路およびそれを備える不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-311189   出願人：三菱電機株式会社
• プリチャージ回路を備えたチャージポンプ回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-293725   出願人：ソニー株式会社