チャージポンプ回路およびそれを備える不揮発性半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-311189
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049299
出願日： 1998年10月30日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】正電位と負電位とを発生することが可能なチャージポンプ回路を提供する。【解決手段】負電位VN、正電位VPSをそれぞれ出力する出力ノードNoutn、Noutpは、未使用時にそれぞれリセット回路52、70によって固定電位が与えられる。負電位発生時はスイッチSW2、SW3が導通し、正電位発生時はスイッチSW1,SW4が導通する。スイッチSW1 ,SW3を介して内部ノードN10、N20にそれぞれ発生電位の基準電位が与えられる。電圧発生部53にポリダイオード素子を使用することにより、製造方法を大幅に変えることなく正負電圧発生可能なチャージポンプ回路が実現できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられるチャージポンプ回路であって、第1の電源電位を受ける第1の電源ノードと、前記第1の電源ノードと第1の内部ノードとの間に接続される第1のスイッチ手段と、第1の出力電位を出力する第1の出力ノードと、前記第1の内部ノードと前記第1の出力ノードとの間に接続される第2のスイッチ手段と、前記第1の電源電位よりも低い第2の電源電位を受ける第2の電源ノードと、前記第2の電源ノードと第2の内部ノードとの間に接続される第3のスイッチ手段と、第2の出力電位を出力する第2の出力ノードと、前記第2の内部ノードと前記第2の出力ノードとの間に接続される第4のスイッチ手段と、前記第1の内部ノードと前記第2の内部ノードとの間に接続され、前記第1の内部ノードの電位よりも前記第2の内部ノードの電位を高くする電圧発生手段とを備え、前記電圧発生手段は、前記第1の内部ノードから前記第2の内部ノードへ向けて電流を流すように設けられる直列に接続された第1、第2のポリダイオード素子と、前記第1、第2のポリダイオード素子の接続ノードに一方の電極が接続され他方の電極にクロック信号が与えられるキャパシタを含み、第1の動作モードにおいては、前記第2のスイッチ手段、前記第3のスイッチ手段は導通状態とされ、前記第1のスイッチ手段、前記第4のスイッチ手段は開放状態とされ、第2の動作モードにおいては、前記第1のスイッチ手段、前記第4のスイッチ手段は導通状態とされ、前記第2のスイッチ手段、前記第3のスイッチ手段は開放状態とされる、チャージポンプ回路。

IPC (4件)：

H01L 27/10 481 , G11C 16/06 , H01L 27/115 , H02M 3/07

FI (4件)：

H01L 27/10 481 , H02M 3/07 , G11C 17/00 632 A , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (12件)

高電圧発生回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-021769 出願人：日本電気株式会社
チャージポンプ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-324665 出願人：三菱電機株式会社
チャージポンプ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-000496 出願人：エル・ジー・セミコン・カンパニー・リミテッド

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