特許
J-GLOBAL ID:200903021514376436
多層配線基板及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
藤村 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-244673
公開番号(公開出願番号):特開2002-174667
出願日: 2001年08月10日
公開日(公表日): 2002年06月21日
要約:
【要約】【課題】 コンデンサを基板容積(面積及び高さ、特に高さ)を変えずに、しかも低コストで形成できるウエハ一括コンタクトボード用多層配線基板及びその製造方法等を提供する。【解決手段】 ウエハ上に多数形成された半導体デバイスの試験を一括して行うために使用されるウエハ一括コンタクトボード等の一部を構成する多層配線基板であって、絶縁層を介して配線を積層し、絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して上下の配線を接続(導通)した構造を有する多層配線基板において、上下の配線間であって多層配線層内に一体的にコンデンサ11を設けた構造を有することを特徴とする。
請求項(抜粋):
半導体ディバイスの試験を行うために使用されるコンタクト治具の一部を構成する多層配線基板であって、絶縁層を介して配線を積層し、絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して上下の配線を接続(導通)した構造を有する多層配線基板において、上下の配線間又は同一層内の配線間に、容量50pF〜50μFのコンデンサを形成したことをことを特徴とする多層配線基板。
IPC (6件):
G01R 31/28
, G01R 1/073
, G01R 31/02
, G01R 31/26
, H01L 21/66
, H05K 3/46
FI (8件):
G01R 1/073 F
, G01R 31/02
, G01R 31/26 H
, G01R 31/26 J
, H01L 21/66 H
, H05K 3/46 N
, H05K 3/46 Q
, G01R 31/28 K
Fターム (56件):
2G003AA07
, 2G003AA10
, 2G003AB01
, 2G003AC01
, 2G003AG03
, 2G003AG07
, 2G003AG12
, 2G003AH09
, 2G011AA16
, 2G011AA21
, 2G011AB06
, 2G011AB08
, 2G011AB09
, 2G011AB10
, 2G011AC11
, 2G011AC14
, 2G011AC33
, 2G011AE03
, 2G011AF06
, 2G014AA01
, 2G014AA13
, 2G014AB51
, 2G014AB59
, 2G014AC10
, 2G132AA00
, 2G132AB01
, 2G132AB03
, 2G132AE27
, 2G132AF01
, 2G132AL11
, 4M106AA01
, 4M106BA01
, 4M106BA14
, 4M106CA27
, 4M106DJ32
, 5E346AA12
, 5E346AA13
, 5E346AA15
, 5E346AA33
, 5E346AA43
, 5E346BB02
, 5E346BB03
, 5E346BB04
, 5E346BB07
, 5E346BB16
, 5E346BB20
, 5E346CC02
, 5E346CC08
, 5E346CC21
, 5E346CC31
, 5E346DD01
, 5E346DD07
, 5E346FF45
, 5E346GG34
, 5E346HH01
, 5E346HH33
引用特許:
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