光学素子における蒸着物の除去方法、光学素子の保護方法、デバイス製造方法、光学素子を含む装置、およびリソグラフィ装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：浅村皓 , 浅村肇 , 山本貴和 , 吉田裕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-289648
公開番号（公開出願番号）：特開2006-135307
出願日： 2005年10月03日
公開日（公表日）： 2006年05月25日
要約：

【課題】光学素子を含んだ装置の該光学素子における蒸着物を除去する方法、および該光学素子を保護する方法を提供する。【解決手段】光学装置を含んだ装置の該光学装置における蒸着物を除去する方法は、装置の少なくとも1部分にH2含有ガスを供給し、H2含有ガスのH2から水素ラジカルを生成し、蒸着を有する光学素子を水素ラジカルの少なくとも部分と接触させて蒸着の少なくとも部分を除去することを含む。さらに、該光学素子を保護する方法は、蒸着工程により該光学素子にキャップ層を提供し、装置使用の間もしくは使用後に、上記の除去工程において、該光学素子からキャップ層の少なくとも1部分を除去することを含む。この方法はリソグラフィ装置に適用可能である。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

装置の少なくとも部分にH2含有ガスを供給し、H2含有ガスのH2から水素ラジカルを生成し、蒸着を有する光学素子を水素ラジカルの少なくとも部分と接触させて、蒸着の少なくとも部分を除去することから成る、光学素子を含んだ装置の該光学素子における蒸着を除去する方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , G02B 5/26 , G21K 1/06 , G02B 1/10

FI (5件)：

H01L21/30 531A , G02B5/26 , H01L21/30 503Z , G21K1/06 D , G02B1/10 Z

Fターム (18件)：

2H048FA05 , 2H048FA09 , 2H048FA18 , 2H048FA24 , 2H048FA25 , 2K009CC01 , 2K009DD03 , 2K009DD04 , 2K009DD17 , 2K009EE00 , 5F046AA17 , 5F046AA28 , 5F046CB01 , 5F046DA30 , 5F046GA20 , 5F046GB01 , 5F046GB02 , 5F046GD20

引用特許：

審査官引用 (5件)

リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-414495 出願人：エイエスエムエルネザランドズベスローテンフエンノートシャップ
極紫外線リソグラフィー用の自己浄化光学装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-554754 出願人：イーユーヴィーリミテッドリアビリティコーポレーション
反射型マスクブランクス及び反射型マスク及びそれらの製造方法並びに半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-105340 出願人：HOYA株式会社

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