特許
J-GLOBAL ID：200903021581267650
水酸化ニッケル粒子の製造方法及び製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-186882
公開番号（公開出願番号）：特開2006-265086
出願日： 2005年06月27日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：
【課題】 粒径が制御された水酸化ニッケル粒子を製造可能な方法及び装置を提供すること。【解決手段】 本発明の水酸化ニッケル粒子の製造装置1は、相互に液体が流通可能に一軸方向に配列される第一反応室15、第二反応室17、及び第三反応室19を有する反応容器3と、反応室間に設けられ、各反応室間の液体の自由移動を阻害しつつ、少なくとも液体の一部は流通可能に構成される隔壁部(板)21,23と、第一反応室にニッケルイオン供給源を供給可能に構成されるニッケルイオン供給手段5と、第一反応室にアンモニウムイオン供給源を供給可能に構成されるアンモニウムイオン供給手段7と、第三反応室に水酸化物イオン供給源を供給可能に構成される水酸化物イオン供給手段9と、第二反応室から得られた水酸化ニッケル粒子を取り出し可能な水酸化ニッケル取出手段67とを備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
反応容器に、少なくともニッケルイオン供給源、アンモニウムイオン供給源、及び水酸化物イオン供給源を供給し、アンミンニッケル錯イオン濃度及びpHを制御しつつ水酸化ニッケル粒子を製造する方法であって、
反応容器の上部に、少なくともニッケルイオン供給源及びアンモニウムイオン供給源を供給し、該反応容器の上部においてアンミンニッケル錯イオン濃度100mg/L以上且つpH11未満に制御されたアンミンニッケル錯イオン高濃度領域を形成すること、
該アンミンニッケル錯イオン高濃度領域よりも前記反応容器の下方に、水酸化物イオン供給源を供給し、該反応容器の下部においてアンミンニッケル錯イオン濃度1mg/L以下且つpH12以上に制御された高pH領域を形成すること、
前記反応容器の上下方向の中心寄りに向かって、前記アンミンニッケル錯イオン高濃度領域及び前記高pH領域から液体をそれぞれ流動させて、該反応容器のアンミンニッケル錯イオン高濃度領域と高pH領域との間においてアンミンニッケル錯イオン濃度5〜20mg/L且つpH11〜12に制御された水酸化ニッケル粒子生成促進領域を形成すること、及び
該水酸化ニッケル粒子生成促進領域から水酸化ニッケル粒子を含む液体を取り出すこと、
を包含する方法。
IPC (3件)：
C01G 53/04
, H01M 4/58
, H01M 10/40
C01G53/04
, H01M4/58
, H01M10/40 Z
4G048AA03
, 4G048AB02
, 4G048AC06
, 4G048AD03
, 4G048AE05
, 5H029AJ02
, 5H029AK03
, 5H029AL07
, 5H029AM03
, 5H029AM04
, 5H029AM05
, 5H029AM07
, 5H050AA02
, 5H050BA17
, 5H050CA08
, 5H050CB08
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (8件)
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