多層基板

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-140870
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335782
出願日： 1995年06月07日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【目的】半導体素子等、パワー素子による発熱を効率的に放熱する。【構成】多層基板2は、アルミナよりなる3つの絶縁層1a,1b,1cを重ねて形成されている。多層基板2の絶縁層1aには熱伝達用導体としての充填金属4aからなるヒートシンクS1が形成され、その下方の絶縁層1bには熱伝達用導体としての充填金属4bからなるヒートシンクS2が形成されている。ヒートシンクS1,S2は、多層基板2の表層に対して平行となる図の横方向に延設されている。このうちヒートシンクS2の横方向の長さはヒートシンクS1の横方向の長さよりも大きく、ヒートシンクS1,S2はピラミッド状に形成されている。ヒートシンクS1の上にはパワー素子6が搭載されている。パワー素子6で発生した熱はヒートシンクS1,S2を伝わって約45°下方の方向に放熱される。

請求項（抜粋）：

複数の絶縁層からなり基板表層にパワー素子が搭載されると共に、パワー素子下部領域の絶縁層に熱伝達用導体からなるヒートシンクを設けた多層基板であって、前記ヒートシンクは、前記パワー素子下方の絶縁層に設けられた第1のヒートシンク部と、その第1のヒートシンク部よりも下方の絶縁層に設けられ、前記基板表層に平行となる少なくとも一方向に延びる第2のヒートシンク部とを有することを特徴とする多層基板。

IPC (2件)：

H05K 3/46 , H05K 1/02

FI (3件)：

H05K 3/46 U , H05K 3/46 Q , H05K 1/02 F

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭50-155973
基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-229785 出願人：株式会社東芝
多層プリント配線板
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-159036 出願人：三菱電機株式会社

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