特許
J-GLOBAL ID：200903021607187250
ヘテロ接合素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-222117
公開番号（公開出願番号）：特開2009-054907
出願日： 2007年08月29日
公開日（公表日）： 2009年03月12日
要約：
【課題】本発明は、エキシトン過程の効率およびキャリア過程の効率の両方を向上させることにより、光電変換のエネルギー変換効率を向上させることができるヘテロ接合素子を提供する。【解決手段】本発明の一実施例に係るヘテロ接合素子100は、無機半導体材料により構成されており、p型層1、n型層2、および交互ヘテロ接合層5により構成されている。交互ヘテロ接合5は、p型のラメラ層3とn型のラメラ層4とが交互に接合されることにより、構成されている。当該交互ヘテロ接合層5は、p型層1とn型層2とにより挟持されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
透明電極と他の電極とにより挟持されており、無機半導体材料から成るヘテロ接合素子であって、
前記透明電極上に形成される、第一の導電型を有する第一の層と、
前記他の電極上に形成されており、第二の導電型を有する第二の層と、
前記第一の層と前記第二の層とにより挟持されており、前記第一の導電型を有する第一のラメラ層と前記第二の導電型を有する第二のラメラ層とから構成される交互ヘテロ接合層とを、備えており、
前記交互ヘテロ接合層は、
前記第一のラメラ層と前記第二のラメラ層とを交互に接合することにより構成されており、
前記第一のラメラ層と前記第二のラメラ層との接合面は、
前記第一の層の主面および前記第二の層の主面の各々に対して、垂直な方向成分を有する、
ことを特徴とするヘテロ接合素子。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L31/04 A
, H01L31/04 B
5F051AA02
, 5F051AA03
, 5F051AA05
, 5F051DA04
, 5F051DA07
